特許
J-GLOBAL ID：201703003729579685

p型酸化物半導体膜の形成方法

発明者：
安部 由希子

安部 由希子 について

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植田 尚之

植田 尚之 について

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中村 有希

中村 有希 について

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松本 真二

松本 真二 について

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曽根 雄司

曽根 雄司 について

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早乙女 遼一

早乙女 遼一 について

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新江 定憲

新江 定憲 について

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草柳 嶺秀

草柳 嶺秀 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-014684
公開番号（公開出願番号）：特開2017-135289
出願日： 2016年01月28日
公開日（公表日）： 2017年08月03日
要約：
【課題】導電特性の制御性に優れるp型酸化物半導体膜の形成方法を提供する。【解決手段】p型酸化物半導体膜の形成方法は、金属酸化物膜を支持体上に形成する工程と、金属酸化物膜を酸素分圧が1×10-5Pa以下に制御されている不活性ガス雰囲気下で加熱する工程を含む。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
金属酸化物膜を支持体上に形成する工程と、 該金属酸化物膜を酸素分圧が1×10-5Pa以下に制御されている不活性ガス雰囲気下で加熱する工程を含むことを特徴とするp型酸化物半導体膜の形成方法。
IPC (6件)：
H01L 21/477 ,  H01L 21/368 ,  H01L 21/365 ,  C01G 3/02 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L21/477 ,  H01L21/368 Z ,  H01L21/365 ,  C01G3/02 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A
Fターム (15件)：
5F045AA15 ,  5F045AB40 ,  5F045EE14 ,  5F045HA16 ,  5F053AA06 ,  5F053DD20 ,  5F053PP03 ,  5F053PP12 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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