特許
J-GLOBAL ID：201703003882540780
表面被覆切削工具およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-081094
公開番号（公開出願番号）：特開2017-189846
出願日： 2016年04月14日
公開日（公表日）： 2017年10月19日
要約：
【課題】高い耐摩耗性と高い耐チッピング性とを有する表面被覆切削工具を提供する。【解決手段】表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備え、被膜は硬質層を含み、硬質層は塩化ナトリウム型の結晶構造を有する複数の結晶粒を含む。硬質層のうち基材の表面の法線方向に平行な断面に対し、EBSD装置を用いて、結晶粒の結晶面である(111)面に対する法線方向と基材の表面に対する法線方向との交差角を測定した場合に、交差角が0度以上20度未満となる結晶粒の割合Aが50%以上である。結晶粒の粒界に関し、Σ3型結晶粒界の長さは、Σ3-29型結晶粒界の長さの50%未満であり、結晶粒は、AlxTi1-xの窒化物または炭窒化物からなる第1層と、AlyTi1-yの窒化物または炭窒化物からなる第2層とが交互に積層された積層構造を有し、隣り合う第1層と第2層との厚みの合計は、3nm以上40nm以下である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基材と、該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、
前記被膜は、硬質層を含み、
前記硬質層は、塩化ナトリウム型の結晶構造を有する複数の結晶粒を含み、
前記硬質層のうち前記基材の表面の法線方向に平行な断面に対し、電子線後方散乱回折装置を用いて前記複数の結晶粒の結晶方位をそれぞれ解析することにより、前記結晶粒の結晶面である(111)面に対する法線方向と前記基材の表面に対する法線方向との交差角を測定した場合に、前記交差角が0度以上20度未満となる前記結晶粒の割合Aが50%以上であり、
前記結晶粒の粒界は、CSL粒界と、一般粒界とを含み、
前記CSL粒界のうちΣ3型結晶粒界の長さは、前記CSL粒界を構成するΣ3型結晶粒界、Σ5型結晶粒界、Σ7型結晶粒界、Σ9型結晶粒界、Σ11型結晶粒界、Σ13型結晶粒界、Σ15型結晶粒界、Σ17型結晶粒界、Σ19型結晶粒界、Σ21型結晶粒界、Σ23型結晶粒界、Σ25型結晶粒界、Σ27型結晶粒界およびΣ29型結晶粒界のそれぞれの長さの総計であるΣ3-29型結晶粒界の長さの50%未満であり、
前記結晶粒は、AlxTi1-xの窒化物または炭窒化物からなる第1層と、AlyTi1-yの窒化物または炭窒化物(ただしx≠y)からなる第2層とが交互に積層された積層構造を有し、
隣り合う前記第1層と前記第2層との厚みの合計は、3nm以上40nm以下である、表面被覆切削工具。
IPC (7件)：
B23B 27/14
, B23C 5/16
, B23B 51/00
, B23F 21/00
, C23C 16/30
, C23C 16/34
, C23C 16/36
B23B27/14 A
, B23C5/16
, B23B51/00 J
, B23F21/00
, C23C16/30
, C23C16/34
, C23C16/36
3C037CC02
, 3C046FF10
, 3C046FF13
, 3C046FF16
, 3C050EC00
, 4K030AA03
, 4K030AA09
, 4K030AA13
, 4K030AA16
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA02
, 4K030BA18
, 4K030BA38
, 4K030BA41
, 4K030BB04
, 4K030BB12
, 4K030CA03
, 4K030CA17
, 4K030EA04
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030JA01
, 4K030JA05
, 4K030JA06
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030LA22
