特許

J-GLOBAL ID：201703004394389610

オゾン検知材料及びそれを用いたオゾン検知方法

発明者： 安藤 昌儀 ,  茂里 康 ,  上垣 浩一 ,  上村 拓也
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-026337
公開番号（公開出願番号）：特開2017-145153
出願日： 2016年02月15日
公開日（公表日）： 2017年08月24日
要約：

【課題】防爆性及び安全性が高く、構造が比較的簡単で安価に製造可能な小型オゾン検知装置に使用できるオゾン検知材料及びオゾン検知方法を提供する。【解決手段】化合物半導体ナノ粒子からなるオゾン検知材料であって、前記化合物半導体ナノ粒子は、II族元素とVI族元素とからなるII-VI族半導体ナノ粒子である、オゾン検知材料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

化合物半導体ナノ粒子からなるオゾン検知材料であって、 前記化合物半導体ナノ粒子は、II族元素とVI族元素とからなるII-VI族半導体ナノ粒子である、オゾン検知材料。

IPC (2件)：

C01B 19/04 ,  G01N 31/00

FI (4件)：

C01B19/04 C ,  C01B19/04 W ,  C01B19/04 H ,  G01N31/00 L

Fターム (5件)：

2G042AA01 ,  2G042BB10 ,  2G042CA01 ,  2G042CB01 ,  2G042FB04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ガスセンサ、ガス測定装置、及びガスセンサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-195998   出願人：セイコーインスツル株式会社, 国立大学法人東京大学
• 半導体量子ドットの合成方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-523766   出願人：リミテッドライアビリティカンパニーザ“ナノテックードゥブナ”トライアルセンターフォーサイエンスアンドテクノロジー

審査官引用 (2件)

• ガスセンサ、ガス測定装置、及びガスセンサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-195998   出願人：セイコーインスツル株式会社, 国立大学法人東京大学
• 半導体量子ドットの合成方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-523766   出願人：リミテッドライアビリティカンパニーザ“ナノテックードゥブナ”トライアルセンターフォーサイエンスアンドテクノロジー

引用文献：

出願人引用 (3件)

• ChemPhysChem, 2011, Vol.12, pp.846-853
• Key Engineering Materials, 2014, Vol.605, pp.163-166
• Development of ozone and ammonia gas sensors on flexible substrate

審査官引用 (3件)

• ChemPhysChem, 2011, Vol.12, pp.846-853
• Key Engineering Materials, 2014, Vol.605, pp.163-166
• Development of ozone and ammonia gas sensors on flexible substrate