二次元物質を含む半導体素子及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：阿部達彦 , 実広信哉 , 崔允辰 , 木内敬二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-099346
公開番号（公開出願番号）：特開2016-219805
出願日： 2016年05月18日
公開日（公表日）： 2016年12月22日
要約：

【課題】二次元物質を含む半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】二次元物質を含む半導体素子及びその製造方法に係り、該半導体素子は、少なくとも1つのドーピングされた二次元物質を含む光電子素子でもあり、該光電子素子は、第1電極と第2電極との間に半導体層を含み、第1電極及び第2電極のうち少なくとも一つは、ドーピングされたグラフェンを含み、該半導体層は、約0.1eV以上または約0.3eV以上の内部電位を有し、該第1電極及び第2電極のうち一つは、p-ドーピングされたグラフェンを含み、他の一つは、n-ドーピングされたグラフェンを含み、あるいは第1電極及び第2電極のうち一つは、p-ドーピングされたグラフェンまたはn-ドーピングされたグラフェンを含み、他の一つは、金属性物質を含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1電極と、前記第1電極と離隔された第2電極と、前記第1電極及び第2電極間に具備された半導体活性層と、を含み、前記第1電極及び第2電極のうち少なくとも一つは、ドーピングされたグラフェンを具備し、前記半導体活性層は、0.1eV以上の内部電位を有する光電子素子。

IPC (4件)：

H01L 31/10 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (7件)：

H01L31/10 A , H01L29/78 618B , H01L29/78 622 , H01L29/78 616V , H01L29/78 616U , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E

Fターム (21件)：

5F110AA09 , 5F110BB13 , 5F110CC09 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG12 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F849AA02 , 5F849AB02 , 5F849AB07 , 5F849DA33 , 5F849FA01 , 5F849XB04

引用特許：

審査官引用 (2件)

光電変換素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-237405 出願人：株式会社東芝
特開昭61-288474

引用文献：

審査官引用 (1件)

"High blue-near ultraviolet photodiode response of vertically stacked graphene-MoS2-metal heterostru

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