光電変換装置及び画像読み取り装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：阿部琢磨 , 黒岩創吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-103715
公開番号（公開出願番号）：特開2017-212303
出願日： 2016年05月24日
公開日（公表日）： 2017年11月30日
要約：

【課題】暗電流の増大を抑制しながら、電荷収集効率の向上及び出力特性におけるリップルを低減した光電変換装置を提供する。【解決手段】一様態は、複数の凹部を有する半導体基板と、前記複数の凹部に設けられた絶縁体と、を有し、前記半導体基板は、第1の導電型を有する第1半導体領域と、前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有し、前記第1半導体領域内に設けられた第2半導体領域と、前記第1の導電型を有し、前記複数の凹部を有する第3半導体領域と、前記第2の導電型を有し、前記半導体基板の表面で前記第2半導体領域と接する第4半導体領域と、を有し、前記半導体基板の表面で、前記第2半導体領域及び前記第4半導体領域は、前記第3半導体領域に囲まれており、前記複数の凹部内の絶縁体は、前記第3半導体領域を貫通して前記第1半導体領域に接することを特徴とする光電変換装に関する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一主面に複数の凹部が配された半導体基板と、前記複数の凹部に配された絶縁体と、を有し、前記半導体基板は、第1導電型の第1半導体領域と、前記第1導電型と反対導電型であり信号電荷と同極性である第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域よりも不純物濃度が高く、少なくともその一部が前記第2半導体領域よりも前記一主面側に配された、前記第2導電型の第3半導体領域と、を有する光電変換素子を有し、前記一主面に垂直な第1断面において、前記第3半導体領域を間に挟んで隣り合うように前記複数のうち第1の凹部及び第2の凹部が配され、前記第1断面において、前記第1及び第2の凹部の間に前記第2半導体領域が配され、前記第2半導体領域は前記第1半導体領域と接しており、前記第1断面において、前記第1及び第2半導体領域により構成されるPN接合部が、前記第1及び第2の凹部の間に配されていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 , H04N 5/361 , H04N 5/369 , H01L 31/10

FI (4件)：

H01L27/14 A , H04N5/335 610 , H04N5/335 690 , H01L31/10

Fターム (29件)：

4M118AA03 , 4M118AA05 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA18 , 4M118DD04 , 4M118DD12 , 4M118EA01 , 4M118EA14 , 4M118FA25 , 4M118FA26 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 5C024AX01 , 5C024CX32 , 5C024CX41 , 5C024GX03 , 5F849AA02 , 5F849AB03 , 5F849AB17 , 5F849BA05 , 5F849BA10 , 5F849BB03 , 5F849CB14 , 5F849EA04 , 5F849EA12 , 5F849EA13 , 5F849GA04 , 5F849XB36

引用特許：

出願人引用 (3件)

光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-283449 出願人：キヤノン株式会社
光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-198146 出願人：キヤノン株式会社
特開昭64-072557

審査官引用 (2件)

光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-283449 出願人：キヤノン株式会社
光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-198146 出願人：キヤノン株式会社

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