光電変換装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：阿部琢磨 , 黒岩創吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-283449
公開番号（公開出願番号）：特開2011-124522
出願日： 2009年12月14日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：

【課題】光電変換装置において、保護絶縁膜の構造を変えることなく、入射光の波長に対しての出力の波(リップル)を低減する。【解決手段】本発明は上記課題に鑑み、複数の光電変換領域と、前記複数の光電変換領域上に配された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に接して配された、該層間絶縁膜とは異なる屈折率を有する保護絶縁膜と、を有する光電変換装置において、各光電変換領域の受光面に配された凹部と、該凹部を埋め込む埋込領域とを有し、前記凹部の深さdは各第一半導体領域への入射光の波長をλとし、前記埋込領域の屈折率をnとしたとき、d≧λ/4nであることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の光電変換領域と、前記複数の光電変換領域上に配された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に接して配された、該層間絶縁膜とは異なる屈折率を有する保護絶縁膜と、を有する光電変換装置において、各光電変換領域の受光面に配された凹部と、該凹部を埋め込む埋込領域とを有し、前記凹部の深さdは各光電変換領域への入射光の波長をλとし、前記埋込領域の屈折率をnとしたとき、d≧λ/4nであることを特徴とする光電変換装置。

IPC (3件)：

H01L 31/10 , H01L 27/146 , H01L 27/14

FI (3件)：

H01L31/10 A , H01L27/14 A , H01L27/14 D

Fターム (25件)：

4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA06 , 4M118CA03 , 4M118CA33 , 4M118CA34 , 4M118CB13 , 4M118DD09 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 4M118GC07 , 4M118GC14 , 5F049MA02 , 5F049MB02 , 5F049NA04 , 5F049NA05 , 5F049NB05 , 5F049PA14 , 5F049PA20 , 5F049QA03 , 5F049RA08 , 5F049SZ04 , 5F049TA13 , 5F049UA13 , 5F049UA20

引用特許：

審査官引用 (7件)

フォトダイオードおよびフォトトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-231143 出願人：ローム株式会社
光電変換装置、マルチチップ型イメージセンサ及び密着型イメージセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-342127 出願人：キヤノン株式会社
特開昭64-072557

全件表示

前のページに戻る