特許

J-GLOBAL ID：201703004705598499

熱に敏感な半導体デバイスの熱への露出を低減するための方法および構造体

発明者： マイケル ビー.マクシェーン ,  ケビン ジェイ.ヘス ,  ペリー エイチ.ペリー ,  タブ エイ.スティーブンス
出願人/特許権者： エヌエックスピー ユーエスエイ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 本田 淳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-114003
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251545
特許番号：特許第6168686号
出願日： 2013年05月30日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体デバイスであって、 熱源回路と、 熱に敏感な回路と、 前記熱源回路と前記熱に敏感な回路との間に配置される複数のシリコンスルービア(TSV)であって、熱伝導性のブラインドビアである複数の熱伝導性ブラインドTSVとを備え、前記複数の熱伝導性ブラインドTSVは、 前記熱源回路からの熱の少なくとも一部が前記熱に敏感な回路に影響を及ぼすことを防ぐための補助を行い、 該複数の熱伝導性ブラインドTSVが形成される回路基板の一部分のみを通じて延在しており、 アクティブ回路には接続されておらず、 前記半導体デバイスは、 前記熱伝導性ブラインドTSVと前記熱に敏感な回路との間に配置される複数の断熱性TSVをさらに備える、半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 23/34 ( 200 6.01) ,  H01L 23/12 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 23/34 A ,  H01L 23/12 501 S ,  H01L 23/12 J

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-151764   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-111380   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-118829   出願人：パナソニック株式会社
• 半導体冷却装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-214877   出願人：松下電器産業株式会社
• 集積回路デバイスおよびその製作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-163209   出願人：アジレント・テクノロジーズ・インク
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-028147   出願人：日産自動車株式会社