特許
J-GLOBAL ID：200903031986083551

半導体装置

発明者：
高田 浩和

高田 浩和 について

, 
石見 幸一

石見 幸一 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-111380
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294760
出願日： 2004年04月05日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 発熱した半導体素子を効率良く冷却したり、その半導体素子から伝わる熱を速やかに外部に放熱できる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、主表面1aを有する半導体基板1と、主表面1a上に形成され、主表面1aに設けられた半導体素子を覆う層間絶縁膜2と、層間絶縁膜2に形成され、冷却用流体が流れる冷却路3とを備える。冷却路3は、層間絶縁膜2の内部を循環するように形成されている。冷却路3は、冷却用流体が供給される一方端4と、冷却用流体が排出される他方端5とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
主表面を有する半導体基板と、 前記主表面上に形成され、前記主表面に設けられた半導体素子を覆う層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜に形成され、冷却用流体が流れる第1の冷却路とを備える、半導体装置。
IPC (6件)：
H01L23/34 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/82 ,  H01L23/38 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473
FI (6件)：
H01L23/34 A ,  H01L23/38 ,  H01L23/46 C ,  H01L23/46 Z ,  H01L21/88 S ,  H01L21/82 W
Fターム (22件)：
5F033HH11 ,  5F033XX22 ,  5F036AA01 ,  5F036BA03 ,  5F036BA10 ,  5F036BA23 ,  5F036BA33 ,  5F036BB08 ,  5F036BB23 ,  5F036BB41 ,  5F036BC22 ,  5F036BD01 ,  5F036BE01 ,  5F064BB09 ,  5F064EE22 ,  5F064EE27 ,  5F064EE32 ,  5F064EE33 ,  5F064EE34 ,  5F064EE44 ,  5F064EE53 ,  5F064GG03
引用特許：
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (10件)
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