半導体装置、リボン状の薄膜の製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 加藤隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-047410
公開番号（公開出願番号）：特開2017-163042
出願日： 2016年03月10日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
要約：

【課題】高い歩留まりで、低コストで製造することのできる良好な特性のグラフェンを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁性を有する結晶基板の上に形成されたBNの触媒となるリボン状の触媒層と、前記触媒層を覆うh-BN、BCN、BC2NまたはBC6Nにより形成されたリボン状のBNを含む層と、前記BNを含む層を覆うリボン状のグラフェンと、前記グラフェンの上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、を有することを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

絶縁性を有する結晶基板の上に形成されたBNの触媒となるリボン状の触媒層と、前記触媒層を覆うh-BN、BCN、BC2NまたはBC6Nにより形成されたリボン状のBNを含む層と、前記BNを含む層を覆うリボン状のグラフェンと、前記グラフェンの上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , C01B 21/064 , B01J 23/745 , B01J 35/02

FI (7件)：

H01L29/78 617M , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 618A , C01B21/064 J , B01J23/745 M , B01J35/02 A

Fターム (37件)：

4G169AA03 , 4G169AA11 , 4G169BB02A , 4G169BB02B , 4G169BC66A , 4G169BC66B , 4G169CB81 , 4G169DA05 , 4G169EA07 , 4G169EC22X , 4G169EC22Y , 4G169FA03 , 4G169FB02 , 4G169FB32 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110QQ14 , 5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の製造方法、半導体装置および配線構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-001670 出願人：富士通株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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