特許
J-GLOBAL ID：201703004746667608
マグネトロンスパッタ成膜装置およびマグネトロンスパッタ成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
進藤 素子
, 東口 倫昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-215755
公開番号（公開出願番号）：特開2014-070236
特許番号：特許第6067300号
出願日： 2012年09月28日
公開日（公表日）： 2014年04月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基材と、
該基材に対向する対向面を有するバッキングプレート、該対向面に配置されるターゲット、および該バッキングプレートを挟んで該ターゲットと反対側に配置される磁石部材を有するマグネトロンスパッタカソードと、
該基材と該ターゲットとの間にマイクロ波プラズマを照射するマイクロ波プラズマ生成装置と、
を備え、該ターゲットから飛び出したスパッタ粒子を該基材の表面に付着させて薄膜を形成するマグネトロンスパッタ成膜装置であって、
該マイクロ波プラズマ生成装置は、
一方向に直線状に延在し、マイクロ波を伝送する矩形導波管と、
該矩形導波管の一面に配置され、該マイクロ波が通過する複数のスロットを有する板状のスロットアンテナと、
該スロットを覆うように該スロットアンテナに積層して配置され、プラズマ生成領域側の表面は該スロットから入射する該マイクロ波の入射方向に平行である誘電体部と、
を備え、
該基材と該ターゲットとの間のプラズマ密度は、該基材付近よりも該ターゲット付近で大きく、該ターゲットの表面において電子サイクロトロン共鳴(ECR)が生じることを特徴とするマグネトロンスパッタ成膜装置。
IPC (2件)：
C23C 14/35 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
C23C 14/35 F
, H05H 1/46 C
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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薄膜形成装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-269016
出願人：日新電機株式会社
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特開平4-181646
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