特許
J-GLOBAL ID：201703004830253134

炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法

発明者：
内海 誠

内海 誠 について

, 
酒井 善行

酒井 善行 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-053123
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168679
出願日： 2016年03月16日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：
【課題】MOS界面での反応を極力抑えるため、接触抵抗が低いオーミック電極を形成し、長期にわたる駆動信頼性を得ることができること。【解決手段】炭化珪素半導体素子は、炭化珪素半導体基板1と、炭化珪素半導体基板1の表面に設けられ、コンタクト電極8として機能するニッケルシリサイド膜と、炭化珪素半導体基板1とは異なる側の面でコンタクト電極8と接合する取り出し電極9と、を有する。コンタクト電極8は、第一の金属のシリサイド、第一の金属のカーバイド、およびニッケルシリサイド、ニッケルとカーボンとが混合した状態であり、炭化珪素半導体基板1に接する側で、ニッケルシリサイドの量が第一の金属のシリサイドより多く、第一の金属がタンタル、チタンまたはモリブデンのいずれかである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体基板と、 前記炭化珪素半導体基板の表面に設けられ、コンタクト電極として機能するニッケルシリサイド膜と、 前記炭化珪素半導体基板とは異なる側の面で前記コンタクト電極と接合する取り出し電極と、を有し、 前記コンタクト電極は、第一の金属のシリサイド、前記第一の金属のカーバイド、ニッケルシリサイド、ニッケルとカーボン、とが混合した状態であり、前記炭化珪素半導体基板に接する側で、前記ニッケルシリサイドの量が前記第一の金属のシリサイドより多く、前記第一の金属がタンタル、チタンまたはモリブデンのいずれかであることを特徴とする炭化珪素半導体素子。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (6件)：
H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658F ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M
Fターム (22件)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD19 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104FF02 ,  4M104FF06 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15
引用特許：
審査官引用 (2件)

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