特許
J-GLOBAL ID：201703005237427440

半導体処理装置においてシャワーヘッド傾斜を動的に調整するためのアクチュエータ

発明者：
ジョン・ウィルツ

ジョン・ウィルツ について


出願人/特許権者：
ラム リサーチ コーポレーション

ラム リサーチ コーポレーション について


代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-247304
公開番号（公開出願番号）：特開2017-143248
出願日： 2016年12月21日
公開日（公表日）： 2017年08月17日
要約：
【課題】半導体基板処理装置の上板内でシャワーヘッドモジュールの下面が基板台座モジュールの上面に平行であるシャワーヘッドモジュールを支持するシャワーヘッドモジュール調整メカニズムを提供する。【解決手段】シャワーヘッドモジュール調整メカニズム400は、半導体基板処理装置内で面板316に隣接する基板台座モジュールの上面に対するシャワーヘッドモジュール211の面板の平坦化を調整するために動的に動作可能である。【選択図】図3A
請求項（抜粋）：
半導体基板を処理するための半導体基板処理装置であって、 個々の半導体基板が中で処理され、上板が上壁を形成する化学的分離チャンバと、 前記化学的分離チャンバ内へプロセスガスを供給するための、前記化学的分離チャンバと流体連通しているプロセスガス源と、 前記プロセスガス源から、前記個々の半導体基板が処理される前記半導体基板処理装置の処理ゾーンへ前記プロセスガスを送るシャワーヘッドモジュールであって、柄部の下端に基部が取り付けられ、貫通するガス通路を有する面板が前記基部の下面を形成するシャワーヘッドモジュールと、 前記基板の処理時に前記面板の下の前記処理ゾーン内で前記半導体基板を支持するように構成された基板台座モジュールと、 前記上板内で前記シャワーヘッドモジュールを支持するシャワーヘッドモジュール調整メカニズムであって、前記面板に隣接する前記基板台座モジュールの上面に対する前記シャワーヘッドモジュールの前記面板の平坦化を調整するために動的に動作可能であり、少なくとも1つのアクチュエータアセンブリを含むシャワーヘッドモジュール調整メカニズムと、 を備える半導体基板処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L21/31 B ,  C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 C ,  H05H1/46 M
Fターム (26件)：
2G084AA02 ,  2G084AA05 ,  2G084BB14 ,  2G084CC03 ,  2G084CC04 ,  2G084CC05 ,  2G084CC09 ,  2G084CC12 ,  2G084DD02 ,  2G084DD15 ,  2G084DD23 ,  2G084DD67 ,  4K030CA04 ,  4K030DA06 ,  4K030EA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA04 ,  4K030JA08 ,  4K030KA45 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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