半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-160938
公開番号（公開出願番号）：特開2016-197757
出願日： 2016年08月19日
公開日（公表日）： 2016年11月24日
要約：

【課題】微細な構造のトランジスタを歩留まりよく提供する。また、該トランジスタのオン特性を向上させ、高速応答、高速駆動が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極層、絶縁層、導電膜、層間絶縁層が順に積層され、該導電膜を切削することにより、該ゲート電極層及び該絶縁層上の導電膜を除去して、自己整合的に形成されるソース電極層及びドレイン電極層を有し、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域と重畳して酸化物半導体層と接する電極層を設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1乃至第3の導電層と、ゲート絶縁層と、ゲート電極層と、半導体層と、を有し、前記半導体層は、前記第1の導電層と前記第2の導電層との間の領域を有し、前記第2の導電層は、前記半導体層と電気的に接続され、前記第1の導電層は、前記第2の導電層と電気的に接続され、前記第3の導電層は、前記第2の導電層と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/41 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/088 , H01L 27/08 , H01L 21/824 , H01L 27/108

FI (13件)：

H01L29/78 616T , H01L29/78 616U , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L29/44 S , H01L27/06 102A , H01L27/08 102E , H01L27/08 331E , H01L27/08 102H , H01L27/10 321 , H01L27/10 621Z , H01L27/10 671C , H01L27/10 671Z

Fターム (186件)：

4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB21 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD12 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD75 , 4M104EE09 , 4M104FF07 , 4M104FF13 , 4M104FF22 , 4M104GG08 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH14 , 5F048AA01 , 5F048AA09 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BA20 , 5F048BB06 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BC01 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BF17 , 5F048BG13 , 5F048CB01 , 5F048CB02 , 5F048CB03 , 5F048CB04 , 5F048CB10 , 5F048DA24 , 5F083AD01 , 5F083AD02 , 5F083AD21 , 5F083AD24 , 5F083AD60 , 5F083AD69 , 5F083GA06 , 5F083GA10 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA44 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083LA21 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR05 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F110AA03 , 5F110AA04 , 5F110AA14 , 5F110BB05 , 5F110BB11 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HM07 , 5F110NN03 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5F110NN77 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (6件)

トランジスタの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-272170 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置、電子機器、半導体装置の製造方法および電子機器の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-102531 出願人：セイコーエプソン株式会社
冷却機構を含む接合型半導体構造体とその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-248557 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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