特許
J-GLOBAL ID：201103065021780365

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
小山 潤

小山 潤 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-248447
公開番号（公開出願番号）：特開2011-124557
出願日： 2010年11月05日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：
【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】半導体材料を含む基板に設けられたチャネル形成領域と、不純物領域と、第1のゲート絶縁層と、第1のゲート電極と、第1のソース電極および第1のドレイン電極と、を有する第1のトランジスタと、半導体材料を含む基板上の酸化物半導体層と、第2のソース電極および第2のドレイン電極と、第2のゲート絶縁層と、第2のゲート電極と、を有する第2のトランジスタと、を有し、第2のソース電極および第2のドレイン電極は、その側面が酸化された酸化領域を有し、第1のゲート電極、第1のソース電極、または第1のドレイン電極のいずれかは、第2のゲート電極、第2のソース電極、または第2のドレイン電極のいずれかと電気的に接続されている半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体材料を含む基板に設けられたチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を挟むように設けられた不純物領域と、前記チャネル形成領域上の第1のゲート絶縁層と、前記第1のゲート絶縁層上の第1のゲート電極と、前記不純物領域と電気的に接続する第1のソース電極および第1のドレイン電極と、を有する第1のトランジスタと、 前記半導体材料を含む基板上の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と電気的に接続する第2のソース電極および第2のドレイン電極と、前記酸化物半導体層、前記第2のソース電極および前記第2のドレイン電極を覆う第2のゲート絶縁層と、前記第2のゲート絶縁層上の第2のゲート電極と、を有する第2のトランジスタと、 を有し、 前記第2のソース電極および前記第2のドレイン電極は、その側面が酸化された酸化領域を有し、 前記第1のゲート電極、前記第1のソース電極、または前記第1のドレイン電極のいずれかは、前記第2のゲート電極、前記第2のソース電極、または前記第2のドレイン電極のいずれかと電気的に接続されている半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28
FI (6件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616T ,  H01L21/28 B ,  H01L21/28 301B
Fターム (102件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD63 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104DD86 ,  4M104DD89 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F110AA06 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HK40 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL24 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM