半導体装置及びその作成方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-072635
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270773
出願日： 2008年03月20日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】ソース領域又はドレイン領域と接触する電極と、ソース領域又はドレイン領域との接触面積を十分に確保するための半導体装置の素子構造及び該素子構造を有する半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】高濃度不純物領域(ソース領域又はドレイン領域)の上に上部電極を形成し、層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを上部電極と高濃度不純物領域(ソース領域又はドレイン領域)とが積層された領域と重なる位置に形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャネル形成領域と不純物領域とを有する半導体層と、前記チャネル形成領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記不純物領域上に形成された上部電極と、前記半導体層と前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極と前記上部電極とを覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと、前記層間絶縁膜上に形成された配線と、を有し、前記コンタクトホールは、前記不純物領域と前記上部電極とが積層された領域と重なる位置に配置されており、前記コンタクトホール内において、前記配線は前記上部電極と接触していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 29/417

FI (4件)：

H01L29/78 616S , H01L29/78 616T , H01L29/78 626C , H01L29/50 M

Fターム (106件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB28 , 4M104BB32 , 4M104CC01 , 4M104DD02 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD20 , 4M104DD28 , 4M104DD84 , 4M104DD91 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF01 , 4M104FF02 , 4M104FF06 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF21 , 4M104FF27 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 5F110AA03 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD21 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE31 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF22 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ15 , 5F110HJ23 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK40 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HM02 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN62 , 5F110NN66 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタにおけるコンタクトホールの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-165852 出願人：シヤープ株式会社

審査官引用 (7件)

多結晶薄膜の製造方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-187175 出願人：株式会社豊田中央研究所
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-104958 出願人：エルジー.フィリップスエルシーデーカンパニー,リミテッド
MIS型FET及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-164247 出願人：日本電気株式会社

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