特許
J-GLOBAL ID：201703005293957983

結晶成長用基板、窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法

発明者：
吉田 丈洋

吉田 丈洋 について


出願人/特許権者：
株式会社サイオクス

株式会社サイオクス について

, 
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (2件)： 福岡 昌浩 ,  橘高 英郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-229163
公開番号（公開出願番号）：特開2017-100936
出願日： 2016年11月25日
公開日（公表日）： 2017年06月08日
要約：
【課題】結晶成長用基板を大径化させ、これを用いて良質な窒化物結晶基板の製造方法の提供。【解決手段】結晶の気相成長に用いられる結晶成長用基板20であって、III族窒化物結晶からなる複数の種結晶基板10が、それらの主面が互いに平行となり、隣接する側面同士が当接するように円板状に配置されてなり、複数の種結晶基板のうち、少なくとも結晶成長用基板の周縁部以外の部分を構成する基板は、平面形状が正六角形である主面を有し、種結晶基板を組み合わせたハニカムパターンは、結晶成長用基板の主面の中心を通り主面に直交する軸を中心軸として結晶成長用基板を一回転させたとき、2回以上の対称性を有する結晶成長用基板。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
結晶の気相成長に用いられる結晶成長用基板であって、 III族窒化物結晶からなる複数の種結晶基板が、それらの主面が互いに平行となり、隣接する側面同士が当接するように円板状に配置されてなり、 複数の前記種結晶基板のうち、少なくとも前記結晶成長用基板の周縁部以外の部分を構成する基板は、平面形状が正六角形である主面を有し、 前記種結晶基板を組み合わせたハニカムパターンは、前記結晶成長用基板の主面の中心を通り前記主面に直交する軸を中心軸として前記結晶成長用基板を一回転させたとき、2回以上の対称性を有する結晶成長用基板。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
C30B29/38 D ,  H01L21/205
Fターム (29件)：
4G077AA02 ,  4G077AB09 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED02 ,  4G077ED06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF11 ,  5F045DQ08
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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