特許
J-GLOBAL ID：201703005357772036
多結晶シリコン製造装置及び製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-206473
公開番号（公開出願番号）：特開2017-190283
出願日： 2016年10月21日
公開日（公表日）： 2017年10月19日
要約：
【課題】多結晶シリコン製造中に反応炉の炉壁内の流路にスケールが堆積することを低減し、炉壁内面を均一に冷却して炉内汚染を抑制し、高純度の多結晶シリコンを製造するとともに、冷却流路内に堆積したスケールを短時間で除去することができる多結晶シリコンの製造装置および製造方法を提供する。【解決手段】原料ガスの反応により多結晶シリコンが析出される反応炉の内周壁5とその外側を覆う外周壁6との間に、冷媒が流通する流路7が形成されるとともに、外周壁6の下部に冷媒供給系が接続され、外周壁6の頂部に流路7内を流通した冷媒を排出する冷媒流出系が接続されており、外周壁6の下部に、蓋体33により開閉可能な開口31が周方向に間隔をおいて複数形成され、開口31の内周下縁部に、冷媒供給系から供給された冷媒の一部を導入して冷媒中のスケールを捕捉するスケール受け部36が設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
原料ガスの反応により多結晶シリコンが析出される反応炉を有する多結晶シリコン製造装置であって、
前記反応炉は、内周壁とその外側を覆う外周壁とを有するとともに、
前記内周壁と前記外周壁との間に形成され冷媒が流通する流路と、
前記外周壁の下部に接続され前記流路に冷媒を供給する冷媒供給系と、
前記外周壁の頂部に接続され前記流路内を流通した冷媒を排出する冷媒流出系と、
前記外周壁の下部の前記冷媒供給系よりも上方位置に周方向に間隔をおいて複数形成され蓋体により開閉可能な開口と、
前記開口の内周下縁部に設けられ、前記冷媒供給系から供給された冷媒の一部を導入して冷媒中のスケールを捕捉するスケール受け部とを備えていることを特徴とする多結晶シリコン製造装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
4G072AA01
, 4G072BB12
, 4G072GG03
, 4G072GG04
, 4G072MM40
, 4G072NN16
, 4G072NN30
, 4G072RR30
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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