特許

J-GLOBAL ID：201703005468377039

半導体装置および発光装置

発明者： 和田 聡 ,  井手 公康
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (3件)： 小西 富雅 ,  中村 知公 ,  木村 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-032671
公開番号（公開出願番号）：特開2017-152504
出願日： 2016年02月24日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：

【課題】実装基板に半導体素子がフェイスダウン実装された半導体装置において、実装基板の配線層の表面と、半導体素子の電極の表面と、フリップチップボンディングのための接続部材の表面とを、保護膜により確実に被覆することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】発光装置10(半導体装置)は、実装基板11、配線層12a〜12c、LEDチップ20a,20b、各パッド電極27,28、接続部材13a,13b、無機保護膜14、ALD膜15などを備える。ALD膜15は、配線層12a〜12cと接続部材13a,13bとLEDチップ20a,20bと無機保護膜14と配線層12a〜12cから露出した実装基板11との表面全体を一体的に連続して被覆する。ALD膜15は原子層堆積法を用いて形成され、ALD膜15の膜厚は実装基板11とLEDチップ20a,20bとの隙間よりも薄く形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

実装基板と、 前記実装基板の表面に形成された配線層と、 前記実装基板にフェイスダウン実装された半導体素子と、 前記半導体素子の電極と、 前記配線層と前記電極とをフリップチップボンディングにより接続する接続部材と、 前記半導体素子の露出面と、前記電極における前記接続部材との接合面を除く露出面とを被覆する第1無機保護膜と、 前記配線層と、前記接続部材と、前記半導体素子と、前記第1無機保護膜と、前記配線層から露出した前記実装基板との表面全体を一体的に連続して被覆する第2無機保護膜と を備え、 前記実装基板と前記半導体素子とは前記接続部材により離間されて隙間が形成され、 前記第2無機保護膜は原子層堆積法を用いて形成され、前記第2無機保護膜の膜厚は前記実装基板と前記半導体素子との前記隙間よりも薄く形成されている、半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 33/48 ,  H01L 33/60 ,  H01L 33/54 ,  H01L 33/62 ,  H01L 33/44 ,  H01L 23/00 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/283

FI (11件)：

H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L33/44 ,  H01L23/00 C ,  H01L21/60 311Q ,  H01L21/60 311S ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B ,  H01L21/283 B

Fターム (67件)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104EE09 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF02 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104HH01 ,  4M104HH08 ,  4M104HH16 ,  5F044KK02 ,  5F044KK03 ,  5F044KK04 ,  5F044LL01 ,  5F044LL07 ,  5F044LL09 ,  5F044QQ01 ,  5F058BA09 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BF02 ,  5F142AA56 ,  5F142AA58 ,  5F142AA65 ,  5F142AA66 ,  5F142AA73 ,  5F142BA32 ,  5F142CA11 ,  5F142CA13 ,  5F142CB03 ,  5F142CB15 ,  5F142CB22 ,  5F142CD02 ,  5F142CD17 ,  5F142CD18 ,  5F142CG24 ,  5F142CG32 ,  5F142DA02 ,  5F142DA14 ,  5F142DB03 ,  5F142FA12 ,  5F142FA14 ,  5F142FA16 ,  5F142FA21 ,  5F142FA24 ,  5F142FA50 ,  5F241AA43 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA13 ,  5F241CA22 ,  5F241CA40 ,  5F241CA74 ,  5F241CA85 ,  5F241CA88 ,  5F241CA92 ,  5F241CB11 ,  5F241CB36

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-107643   出願人：日亜化学工業株式会社
• 発光装置及び照明装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-004574   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-068315   出願人：株式会社東芝