特許
J-GLOBAL ID：201303084696561050

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
小幡 進

小幡 進 について

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中山 俊弥

中山 俊弥 について

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伊藤 寿

伊藤 寿 について

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木村 晃也

木村 晃也 について

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下川 一生

下川 一生 について

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樋口 和人

樋口 和人 について

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小島 章弘

小島 章弘 について

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島田 美代子

島田 美代子 について

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杉崎 吉昭

杉崎 吉昭 について

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古山 英人

古山 英人 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-068315
公開番号（公開出願番号）：特開2013-201253
出願日： 2012年03月23日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：
【課題】過電圧から保護した、高輝度で小型の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の実施形態によれば、発光部と、第1電極と、第2電極と、第1金属ピラーと、第2金属ピラーと、封止部と、整流素子部と、第1配線と、第2配線と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光部は、第1導電形の第1半導体層と、発光層と、第2導電形の第2半導体層と、を含む。発光層は、第1半導体層の第1部分の上に設けられる。第2半導体層は、発光層の上に設けられる。整流素子部は、整流部を含む。整流部は、第1半導体層よりも下に設けられ、第1半導体層から第2半導体層に向かう第1方向にみたときに、少なくとも一部が発光部と重ならない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電形の第1半導体層と、前記第1半導体層の第1部分の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第2導電形の第2半導体層と、を含む発光部と、 前記第1半導体層の第2部分の上に設けられ前記第1半導体層と電気的に接続された第1電極と、 前記第2半導体層の上に設けられ前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極と、 前記第1電極に電気的に接続され前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう第1方向に延びる第1金属ピラーと、 前記第2電極に電気的に接続され前記第1方向に延びる第2金属ピラーと、 前記第1金属ピラーの端部及び前記第2金属ピラーの端部を露呈させて前記第1金属ピラー及び前記第2金属ピラーを封止する封止部と、 前記第1半導体層よりも下に設けられ、前記第1方向にみたときに、少なくとも一部が前記発光部と重ならない整流部を含む整流素子部と、 前記第1電極と前記整流部の一端とを電気的に接続する第1配線と、 前記第2電極と前記整流部の他端とを電気的に接続する第2配線と、 を備えた半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/62 ,  H01L 33/38
FI (2件)：
H01L33/00 440 ,  H01L33/00 210
Fターム (34件)：
5F141AA23 ,  5F141AA47 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA77 ,  5F141CA93 ,  5F141CA98 ,  5F141CB13 ,  5F141CB15 ,  5F141CB33 ,  5F142AA02 ,  5F142AA36 ,  5F142AA42 ,  5F142AA56 ,  5F142BA02 ,  5F142CB07 ,  5F142CE04 ,  5F142CE32 ,  5F142CF01 ,  5F142CF25 ,  5F142CF42 ,  5F142CG04 ,  5F142CG24 ,  5F142CG32 ,  5F142CG42 ,  5F142DA02 ,  5F142DA14 ,  5F142DA72 ,  5F142DA73 ,  5F142DB24
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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