特許
J-GLOBAL ID：201503020415686182

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
市川 将嗣

市川 将嗣 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 豊栖 康弘 ,  豊栖 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-107643
公開番号（公開出願番号）：特開2015-225862
出願日： 2014年05月25日
公開日（公表日）： 2015年12月14日
要約：
【課題】膜厚を均一にした光反射層を形成する。【解決手段】基板10の下面側に半導体層20を有する発光素子を準備する発光素子準備工程と、支持部材2上に、前記発光素子を半導体層20側から載置する発光素子載置工程と、原子層堆積法により、前記基板10の上面の少なくとも一部又は側面の一部を光取り出し領域として露出させるように、前記基板10の表面及び前記半導体層20の表面を前記光反射層30で被覆する光反射層30被覆工程とを、この順に含む。これにより、光反射層30を所期の設計通りに機能させることができ、信頼性の高い光反射層30でもって高品質な半導体発光装置を実現できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の下面側に半導体層を有する発光素子を準備する発光素子準備工程と、 支持部材上に、前記発光素子を半導体層側から載置する発光素子載置工程と、 原子層堆積法により、前記基板の上面の少なくとも一部又は側面の一部を光取り出し領域として露出させるように、前記基板の表面及び前記半導体層の表面を前記光反射層で被覆する光反射層被覆工程と をこの順に含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/60 ,  H01L 33/46
FI (2件)：
H01L33/00 432 ,  H01L33/00 310
Fターム (40件)：
5F141AA03 ,  5F141CA04 ,  5F141CA12 ,  5F141CA14 ,  5F141CA75 ,  5F141CB15 ,  5F141CB25 ,  5F141FF11 ,  5F142AA04 ,  5F142BA32 ,  5F142CA11 ,  5F142CB18 ,  5F142CD02 ,  5F142CD13 ,  5F142CD17 ,  5F142CD18 ,  5F142CE04 ,  5F142CE06 ,  5F142CE08 ,  5F142CE13 ,  5F142CE15 ,  5F142CE18 ,  5F142CF02 ,  5F142DA02 ,  5F142DA14 ,  5F142DA73 ,  5F142DB18 ,  5F142GA02 ,  5F142GA11 ,  5F142GA21 ,  5F142GA29 ,  5F142HA05 ,  5F241AA03 ,  5F241CA04 ,  5F241CA12 ,  5F241CA14 ,  5F241CA75 ,  5F241CB15 ,  5F241CB25 ,  5F241FF11
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (13件)
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