特許
J-GLOBAL ID：201703005606268998

アバランシェフォトダイオード

発明者：
佐々木 公平

佐々木 公平 について

, 
大島 孝仁

大島 孝仁 について


出願人/特許権者：
株式会社ノベルクリスタルテクノロジー

株式会社ノベルクリスタルテクノロジー について

, 
国立大学法人佐賀大学

国立大学法人佐賀大学 について


代理人 (4件)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-113456
公開番号（公開出願番号）：特開2017-220550
出願日： 2016年06月07日
公開日（公表日）： 2017年12月14日
要約：
【課題】Ga2O3単結晶を用いたアバランシェフォトダイオードを提供する。【解決手段】n型のGa2O3系単結晶層10と、Ga2O3系単結晶層10に積層された誘電体層11と、誘電体層11に接続されたアノード電極12と、Ga2O3系単結晶層10に接続されたカソード電極13と、を有し、アノード電極12とカソード電極13の間に逆方向電圧を印加することにより、Ga2O3系単結晶層10と誘電体層11との接合部にアバランシェブレークダウンを生じさせることができる、アバランシェフォトダイオードを提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型のGa2O3系単結晶層と、 前記Ga2O3系単結晶層に積層された誘電体層と、 前記誘電体層に接続されたアノード電極と、 前記Ga2O3系単結晶層に接続されたカソード電極と、 を有し、 前記アノード電極と前記カソード電極の間に逆方向電圧を印加することにより、前記Ga2O3系単結晶層と前記誘電体層との接合部にアバランシェブレークダウンを生じさせることができる、 アバランシェフォトダイオード。
IPC (1件)：
H01L 31/107
FI (1件)：
H01L31/10 B
Fターム (7件)：
5F849AA07 ,  5F849AB01 ,  5F849BA03 ,  5F849BA05 ,  5F849FA05 ,  5F849GA03 ,  5F849XB38
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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