特許
J-GLOBAL ID：201703006009959188
デバイスチップの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
青木 宏義
, 天田 昌行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-044872
公開番号（公開出願番号）：特開2017-162931
出願日： 2016年03月08日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
要約：
【課題】デバイスチップの抗折強度を向上させ、デバイスチップの破損を防止すること。【解決手段】デバイスチップの製造方法は、プラズマエッチング装置(1)が減圧室(50)を仕切りエッチングガスを通過させる細孔を有するバッファプレート(45)を備え、プラズマ化されたエッチングガスを減圧室内の気流でバッファプレートを通過させエッチングガスからイオン(21)を取り除くイオン除去工程と、減圧室内の気流でバッファプレートを通過しイオンが除去されラジカルを主体としたエッチングガスをデバイスチップ(80)に供給させデバイスチップの側面(86)をプラズマエッチングするエッチング工程と、を含む構成にした。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
デバイスチップの側面をプラズマエッチングしてデバイスチップの抗折強度を高めるデバイスチップの製造方法であって、
プラズマエッチング装置は、減圧室と、該減圧室を減圧する排気手段と、該減圧室の上方からエッチングガスを供給するエッチングガス供給口と、該減圧室の下方にてワークを保持する保持テーブルと、該エッチングガス供給口と該保持テーブルとの間で該減圧室を仕切りエッチングガスを通過させる細孔を有するバッファプレートと、を備え、
分割予定ラインで区画されるデバイスウエーハが分割された複数のデバイスチップを隙間を設けて配列させ、該デバイスチップの片面を粘着テープに貼着させたワークを準備するワーク準備工程と、
該ワーク準備工程で準備したワークの該粘着テープ側を該保持テーブルに保持させるワーク保持工程と、
該エッチングガス供給口から供給されるエッチングガスに高周波電力を供給させ、エッチングガスをラジカルを含むようにプラズマ化させるプラズマ生成工程と、
該プラズマ生成工程でプラズマ化されたエッチングガスを該エッチングガス供給口から該保持テーブルへ向かう該減圧室内の気流で該バッファプレートを通過させエッチングガスからイオンを取り除くイオン除去工程と、
該減圧室内の該気流で該バッファプレートを通過しイオンが除去されラジカルを主体としたエッチングガスをデバイスチップに供給させデバイスチップの側面をプラズマエッチングするエッチング工程と、
を含むデバイスチップの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/301
H01L21/302 101C
, H01L21/302 106
, H01L21/78 P
5F004BA03
, 5F004BB21
, 5F004BB28
, 5F004DA01
, 5F004DA17
, 5F004DA18
, 5F004DA22
, 5F004DB01
, 5F063AA06
, 5F063BB01
, 5F063DD45
, 5F063DD46
