特許
J-GLOBAL ID：201503011930700148

高いダイ破断強度及び清浄な側壁のためのレーザスクライビング及びプラズマエッチング

発明者：
イートン ブラッド

イートン ブラッド について

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シン サラブジート

シン サラブジート について

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レイ ウェイシェン

レイ ウェイシェン について

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ヤラマンチリ マドハバ ラオ

ヤラマンチリ マドハバ ラオ について

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リウ トング

リウ トング について

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クマー アジャイ

クマー アジャイ について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 安齋 嘉章
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-521818
公開番号（公開出願番号）：特表2015-524613
出願日： 2013年07月11日
公開日（公表日）： 2015年08月24日
要約：
実施形態では、初めのレーザスクライブと、後続のプラズマエッチングを含むハイブリッドなウェハ又は基板のダイシングプロセスは、ダイの個片化のために実施される。レーザスクライブプロセスは、マスク層、有機・無機誘電体層、及びデバイス層をきれいに除去するために使用することができる。その後、レーザエッチングプロセスは、ウェハ又は基板の露出又は部分的なエッチング時に終了することができる。実施形態では、マルチプラズマエッチング法が、ウェハをダイシングするために使用され、ここで等方性エッチングは、異方性エッチングに続いてダイの側壁を改善するために使用される。等方性エッチングは、ダイの個片化の後に異方性エッチングされたダイの側壁から、異方性エッチングの副生成物、粗さ、及び/又はスカラップを除去する。
請求項（抜粋）：
複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングする方法であって、 集積回路を覆い保護するマスクを半導体ウェハの上方に形成する工程と、 集積回路間の半導体ウェハの領域を露出させるギャップを有するパターニングされたマスクを提供するために、レーザスクライビングプロセスによってマスクをパターニングする工程と、 集積回路を個片化するために、半導体ウェハを完全に貫通してエッチングされたトレンチを進めるために、パターニングされたマスク内のギャップを貫通して半導体ウェハを異方性エッチングする工程と、 異方性エッチングされたトレンチを等方性エッチングする工程を含む方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/351
FI (5件)：
H01L21/78 P ,  H01L21/78 S ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 Q ,  B23K26/351
Fターム (39件)：
4E168AD04 ,  4E168AD18 ,  4E168CB02 ,  4E168CB11 ,  4E168DA02 ,  4E168DA03 ,  4E168DA04 ,  4E168DA13 ,  4E168DA22 ,  4E168DA38 ,  4E168DA40 ,  4E168DA45 ,  4E168DA46 ,  4E168DA47 ,  4E168EA19 ,  4E168JA17 ,  4E168JA28 ,  5F063AA36 ,  5F063AA43 ,  5F063BA07 ,  5F063BA29 ,  5F063CB02 ,  5F063CB06 ,  5F063CB22 ,  5F063CB27 ,  5F063CC31 ,  5F063CC33 ,  5F063DD26 ,  5F063DD31 ,  5F063DD32 ,  5F063DD42 ,  5F063DD44 ,  5F063DD46 ,  5F063DD48 ,  5F063DD89 ,  5F063DF02 ,  5F063DF06 ,  5F063DF19 ,  5F063FF51
引用特許：
審査官引用 (5件)
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