特許
J-GLOBAL ID：200903055906037569
半導体ウェハの分割方法及び分割装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
河宮 治
, 和田 充夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-213910
公開番号（公開出願番号）：特開2006-040914
出願日： 2004年07月22日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 薄化された半導体ウェハの分割において、それぞれの半導体素子を損傷させることなく、高抗折強度を備えさせる。【解決手段】 複数の半導体素子が形成された第1の表面6aに保護シート30が配置され、上記第1の表面6aの反対側の第2の表面6bに上記それぞれの半導体素子を個片に分割するための分割線31bを画定するマスク31aが配置された半導体ウェハ6に対して、上記第2の表面6bよりプラズマエッチングを施すことで、上記画定された分割線31bに沿って上記それぞれの半導体素子に分割する半導体ウェハの分割方法において、上記プラズマエッチングにおいて、異方性エッチング又は等方性エッチングのいずれか一方を実施し、その後、いずれか他方を実施する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子が形成された第1の表面に保護シートが配置され、上記第1の表面の反対側の第2の表面に上記それぞれの半導体素子を個片に分割するための分割線を画定するマスクが配置された半導体ウェハに対して、上記第2の表面よりプラズマエッチングを施すことで、上記画定された分割線に沿って上記それぞれの半導体素子に分割する半導体ウェハの分割方法において、
上記プラズマエッチングにおいて、異方性エッチング又は等方性エッチングのいずれか一方を実施し、その後、いずれか他方を実施することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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