特許
J-GLOBAL ID：201703006169459238
磁性細線を有する磁気メモリおよびその書き込み方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
関根 毅
, 佐藤 泰和
, 川崎 康
, 勝沼 宏仁
, 赤岡 明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-235988
公開番号（公開出願番号）：特開2014-086640
特許番号：特許第6093146号
出願日： 2012年10月25日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 磁性細線と、
前記磁性細線の異なる位置に接して設けられた第1および第2電極と、
前記第1および第2電極との間の前記磁性細線の位置に設けられ磁性層を含む第3電極と、
前記磁性細線と前記第3電極との間に設けられ前記磁性細線に接するとともに前記第3電極に接する中間層と、
前記磁性細線に対し前記第3電極に対向するように、前記磁性細線上に設けられた非磁性体の第4電極と、
前記磁性細線と前記第4電極との間に設けられ前記磁性細線に接するとともに前記第4電極に接する絶縁層と、
を備え、
書き込み時に、前記第4電極と前記磁性細線との間に電圧が印加されるとともに、前記第3電極と前記第1および第2電極のうちの一方との間に前記磁性細線を介して書き込み電流が流れ、
記録情報のシフト動作時に、前記第1電極と前記第2電極との間に前記磁性細線を介して電流が流れる磁気メモリ。
IPC (5件)：
H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 29/82 ( 200 6.01)
, G11C 11/15 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
H01L 27/10 447
, H01L 29/82 Z
, G11C 11/15 110
, H01L 43/08 Z
