特許

J-GLOBAL ID：200903004826251655

磁気メモリ装置及びその製造方法

発明者： 指宿 隆弘 ,  ▲芦▼田 裕 ,  清水 豊
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-149531
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324171
出願日： 2006年05月30日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】記憶容量が大きく、しかも耐熱性に優れる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】磁壁30の移動を規制する規制領域32が所定の間隔で形成され、規制領域間の領域が記録ビット34となる線状の記録層22を有し、記録層22に一軸磁気異方性を付与する手段24を有している。記録層に対して一軸磁気異方性を付与する手段を有しているため、十分な一軸磁気異方性を記録層において得ることができる。このため、記録層の幅Dを比較的狭くした場合であっても、耐熱性の高い磁気メモリ装置を提供することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

磁壁の移動を規制する規制領域が所定の間隔で形成され、前記規制領域間の領域が記録ビットとなる線状の記録層を有し、前記記録層に一軸磁気異方性を付与する手段を有する ことを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12

Fターム (33件)：

4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD60 ,  4M119JJ09 ,  5F092AA08 ,  5F092AA12 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BB05 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BB82 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC42 ,  5F092CA20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 磁気記録用媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-019452   出願人：株式会社日立製作所
• 磁気記録媒体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-094357   出願人：ホーヤ株式会社

審査官引用 (4件)

• 磁気記憶装置及び磁気情報の書込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-426765   出願人：株式会社東芝
• 磁気トンネル接合型メモリセルおよびその製造方法、磁気トンネル接合型メモリセルアレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-012660   出願人：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド
• 磁気抵抗効果膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-071790   出願人：三洋電機株式会社
• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-383924   出願人：株式会社東芝