特許
J-GLOBAL ID:201703006267321660

レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-081934
公開番号(公開出願番号):特開2016-206669
出願日: 2016年04月15日
公開日(公表日): 2016年12月08日
要約:
【課題】CD均一性(CDU)が良好なレジストパターンを製造することができるレジスト組成物等を提供することを目的とする。【解決手段】フッ素原子を有さず、酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂(A1)と、フッ素原子を有さず、酸不安定基を有さない構造単位のみからなる樹脂(A2)と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
フッ素原子を有さず、酸不安定基を有する構造単位を含む(メタ)アクリル系樹脂(A1)と、フッ素原子を有さず、酸不安定基を有さない構造単位のみからなる(メタ)アクリル系樹脂(A2)と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
IPC (4件):
G03F 7/038 ,  G03F 7/004 ,  C08F 220/28 ,  G03F 7/20
FI (6件):
G03F7/038 601 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/004 501 ,  C08F220/28 ,  G03F7/20 501 ,  G03F7/20 521
Fターム (58件):
2H197AA12 ,  2H197CA06 ,  2H197CA08 ,  2H197CE01 ,  2H197CE10 ,  2H197HA03 ,  2H197JA22 ,  2H225AF11P ,  2H225AF16P ,  2H225AF22P ,  2H225AF25P ,  2H225AF53P ,  2H225AF67P ,  2H225AF71P ,  2H225AF99P ,  2H225AH17 ,  2H225AH19 ,  2H225AJ13 ,  2H225AJ65 ,  2H225AJ68 ,  2H225AJ69 ,  2H225AM10P ,  2H225AM22P ,  2H225AM23P ,  2H225AM27P ,  2H225AM94P ,  2H225AN38P ,  2H225AN39P ,  2H225AN45P ,  2H225AN54P ,  2H225BA02P ,  2H225BA26P ,  2H225BA29P ,  2H225CA12 ,  2H225CB10 ,  2H225CC01 ,  2H225CC15 ,  2H225CD05 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03R ,  4J100BA11S ,  4J100BC03Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC53S ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100FA28 ,  4J100FA30 ,  4J100GA06 ,  4J100GC07 ,  4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る