特許

J-GLOBAL ID：201703006288826460

スパッタリングターゲット、及び、その製造方法

発明者： 尹 栄徳 ,  上田 健一郎
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 永田 元昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-053266
公開番号（公開出願番号）：特開2013-185237
特許番号：特許第6182296号
出願日： 2012年03月09日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 純度が99.9%以上である高純度銅からなるスパッタリングターゲットであって、 スパッタリングを行う面における(111)面、(200)面、(220)面、及び、(311)面の各配向面のX線回折のピーク強度であるI(111)、I(200)、I(220)、I(311)が [数1] I(111)/[I(111)+I(200)+I(220)+I(311)]≧0.55 、且つ、 [数2] I(111)>I(200)、 I(111)>I(220)、 I(111)>I(311)及び [数3] I(200)>I(220)、 I(200)>I(311) となる関係を満たすとともに、 [数4] I(200)≧0.42×I(111) となる関係を満たすことを特徴とする スパッタリングターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  C22F 1/00 ( 200 6.01) ,  C22F 1/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01)

FI (12件)：

C23C 14/34 A ,  C22F 1/00 604 ,  C22F 1/00 610 ,  C22F 1/00 612 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 683 ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/00 692 A ,  C22F 1/00 694 B ,  C22F 1/08 A ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 単結晶銅ターゲットおよびその製造法とそれを用いた半導体内部配線
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-181361   出願人：同和鉱業株式会社
• 銅スパッタリングターゲット材及びスパッタリング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-172718   出願人：日立電線株式会社
• 高純度銅スパッタリングタ-ゲットおよび薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-157331   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-042616   出願人：株式会社ジャパンエナジー