特許
J-GLOBAL ID:201703006631277183

フォトレジストウエハの露光後プロセスの方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 園田・小林特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-226501
公開番号(公開出願番号):特開2017-152679
出願日: 2016年11月22日
公開日(公表日): 2017年08月31日
要約:
【課題】フォトリソグラフィプロセスを改良する基板処理装置を提供する。【解決手段】浸漬フィールドガイド式の露光後ベークプロセスを実施する、方法と装置に関する。装置は、処理容積を画定するチャンバ本体を含む。ペデスタルが処理容積内に配置されていてよく、第1の電極がペデスタルに連結されていてよい。ペデスタルの反対側にチャンバ本体を通って可動ステムが遠心していてよく、第2の電極がこの可動ステムに連結されていてよい。また、誘電性閉じ込めリングがペデスタルに連結されていてよく、誘電性閉じ込めリングは第2の電極に連結されていてよい。【選択図】図7
請求項(抜粋):
処理容積を画定するチャンバ本体と、 前記処理容積内に配置されたペデスタルと、 前記ペデスタルを通して前記処理容積に連結された1つ以上の流体源と、 前記ペデスタルを通して前記処理容積に連結されたドレインと、 前記ペデスタルに連結された第1の電極と、 前記第1の電極から径方向外側に前記ペデスタルに連結された流体閉じ込めリングと、 前記ペデスタルの反対側に配置され、前記チャンバ本体を通って延伸する可動ステムと、 前記ステムに連結された第2の電極と を備える、基板処理装置。
IPC (1件):
H01L 21/027
FI (1件):
H01L21/30 567
Fターム (4件):
2H196AA25 ,  2H196FA04 ,  2H196FA10 ,  5F146KA10
引用特許:
出願人引用 (3件)

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