基板処理装置および基板処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-230173
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124088
出願日： 2002年08月07日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】化学増幅型レジストが塗布され、露光された基板を加熱処理するにあたり、レジスト表面から酸であるプロトンが飛散するのを抑えることができる技術を提供すること。【解決手段】基板加熱装置の載置台に載置された基板の表面と対向するように例えばメッシュ状をなす電極を設け、この電極を直流電源部の正極側に接続する。露光時にレジストの表面部に発生した酸であるプロトンは、加熱により露光領域中に拡散していくが、レジスト表面部の酸は、上方側の電極に正の電荷が帯電していることから基板側に向かうクーロン力が作用し、このためパージガス流により飛散することが抑えられ、良好なレジストパターンが得られる。また、基板の裏面側、例えば載置台の下方側に負極側に接続された電極を設けるようにしても良い。

請求項（抜粋）：

化学増幅型のレジストが塗布されて露光された基板を現像前に処理する装置において、前記基板を載置するための基板載置部と、この基板載置部に載置された基板を加熱する加熱手段と、前記基板載置部に載置された基板上のレジストに発生したプロトンが基板側に向かうように電界を形成する電界形成手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/38 511

FI (2件)：

G03F 7/38 511 , H01L 21/30 567

Fターム (7件)：

2H096AA25 , 2H096BA09 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096FA10 , 5F046KA04 , 5F046KA10

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-033852
レジスト処理装置および方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-344762 出願人：キヤノン株式会社, キヤノン販売株式会社
塗布膜の加熱装置、レジスト膜の処理方法及び処理装置、レジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-385349 出願人：株式会社東芝

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