保護膜形成用の樹脂組成物、保護膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高松猛 , 尾澤俊之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-174743
公開番号（公開出願番号）：特開2014-098889
特許番号：特許第6043693号
出願日： 2013年08月26日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】有機溶剤を含む現像液を用いて現像するパターン形成方法における保護膜の形成に用いられる樹脂組成物であって、前記保護膜は、前記パターン形成における現像に用いられる有機溶剤を含む現像液から、基板ないし基板上に形成された膜を保護するために用いられる保護膜であり、前記樹脂組成物は、ヒドロキシ基を有する主鎖構造が相違する2種以上の樹脂と水とを含有し、前記2種以上の樹脂が、ポリビニルアルコール及び多糖類を含む樹脂組成物。

IPC (17件)：

G03F 7/11 ( 200 6.01) , G03F 7/42 ( 200 6.01) , G03F 7/32 ( 200 6.01) , G03F 7/038 ( 200 6.01) , G03F 7/039 ( 200 6.01) , G03F 7/033 ( 200 6.01) , G03F 7/26 ( 200 6.01) , H01L 21/027 ( 200 6.01) , C08L 29/04 ( 200 6.01) , C08L 1/08 ( 200 6.01) , C08L 3/00 ( 200 6.01) , C08L 101/14 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 51/05 ( 200 6.01) , H01L 51/30 ( 200 6.01) , H01L 21/312 ( 200 6.01)

FI (18件)：

G03F 7/11 503 , G03F 7/42 , G03F 7/32 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/033 , G03F 7/26 511 , H01L 21/30 563 , C08L 29/04 D , C08L 1/08 , C08L 3/00 , C08L 101/14 , H01L 29/78 619 A , H01L 29/78 618 B , H01L 29/28 100 A , H01L 29/28 280 , H01L 21/312 D , H01L 21/312 A

引用特許：

審査官引用 (7件)

有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタシート及び有機薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-143052 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
反射防止組成物及びレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-070236 出願人：三菱化学株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-230234 出願人：ソニー株式会社

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