特許
J-GLOBAL ID：201103015636596966

半導体装置の製造方法

発明者：
野元 章裕

野元 章裕 について

, 
小野 秀樹

小野 秀樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-230234
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077470
出願日： 2009年10月02日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：
【課題】表面状態および膜質の均一性を保って有機半導体層をパターニングすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】先ず第1の工程では、基板1上に有機半導体膜9を成膜する。次の第2工程では、有機半導体膜9上に保護パターン11を形成する。その後第3工程では、保護パターン11をマスクにして、有機半導体層9を有機溶媒に溶解させるかまたは昇華させることにより、パターニング表面を変質させることなく有機半導体層9をパターニングする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に有機半導体層を成膜する第1工程と、 前記有機半導体層上に保護パターンを形成する第2工程と、 前記保護パターンをマスクにして前記有機半導体層を有機溶媒に溶解させるかまたは昇華させることにより、当該有機半導体層をパターニングする第3工程とを行う 半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 51/40 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30
FI (7件)：
H01L29/28 310K ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280 ,  H01L29/78 621
Fターム (34件)：
5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110NN61 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ03
引用特許：
審査官引用 (8件)
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