特許
J-GLOBAL ID：201703007106797083
半導体ウェーハの金属汚染評価方法および半導体ウェーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-011446
公開番号（公開出願番号）：特開2014-143325
特許番号：特許第6102277号
出願日： 2013年01月24日
公開日（公表日）： 2014年08月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】熱処理を施された半導体ウェーハの金属汚染評価方法であって、
前記半導体ウェーハ表面の複数の分析箇所を、評価対象の金属元素による汚染量が多いほど評価に用いる分析値が小さくなる分析方法1または評価対象の金属元素による汚染量が多いほど評価に用いる分析値が大きくなる分析方法2により分析し分析値を求めること、および、
前記複数の分析箇所の中で、汚染源との接触により前記半導体ウェーハに付着した評価対象の汚染金属元素が前記熱処理により拡散することが予想される分析箇所の数Pを見積もること、
を含み、
前記分析値を分析方法1により求めた場合には、全分析箇所の分析値を昇順に並べた際、最小値から数えてP箇所目の分析値Vpが、確率分布関数により規定される正常値の下限値以下の値であれば評価対象の金属元素による局所汚染ありと判定し、上記下限値を超える値であれば評価対象の金属元素による局所汚染なしと判定し、
前記分析値を分析方法2により求めた場合には、全分析箇所の分析値を昇順に並べた際、最大値から数えてP箇所目の分析値Vpが、確率分布関数により規定される正常値の上限値以上の値であれば評価対象の金属元素による局所汚染ありと判定し、上記上限値に満たない値であれば評価対象の金属元素による局所汚染なしと判定する、前記金属汚染評価方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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