特許
J-GLOBAL ID：201003015565795736

エピタキシャルウエーハの製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
高見澤 彰一

高見澤 彰一 について

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佐山 隆司

佐山 隆司 について

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曲 偉峰

曲 偉峰 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-015095
公開番号（公開出願番号）：特開2010-177238
出願日： 2009年01月27日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：
【課題】必要最低限のプロセスでイオン注入層を有したエピタキシャルウエーハを製造でき、また付加される工程での汚染の低減とコスト低減を両立させ、かつ製造中の金属不純物汚染を高感度で評価・保証して汚染の少ないウエーハを効率よく製造できるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶基板の主表面に対してイオン注入を行い、その後洗浄を行った後、エピ層の形成を行う際に、ボロン、炭素、アルミニウム、砒素、アンチモンのうち少なくとも1種類をドーズ量1×1014〜1×1016atoms/cm2の範囲でイオン注入し、エピ層は枚葉式エピタキシャル装置を用いて1080°C以上の温度で形成し、イオン注入後からエピ層形成前の何れかの段階でシリコン単結晶基板の金属不純物濃度評価を行うか、またはエピ層形成後に一部抜き取りによりエピ層を形成したシリコン単結晶基板の金属不純物濃度の評価を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、シリコン単結晶基板を準備した後、該シリコン単結晶基板の主表面に対してイオン注入を行い、その後洗浄を行った後、エピタキシャル層の形成を行うエピタキシャルウエーハの製造方法において、 前記イオン注入は、ボロン、炭素、アルミニウム、砒素、アンチモンのうち少なくとも1種類をドーズ量1×1014〜1×1016atoms/cm2の範囲でイオン注入することとし、 前記エピタキシャル層の形成は、枚葉式エピタキシャル装置を用いて1080°C以上の温度で行い、 前記イオン注入後から前記エピタキシャル層形成前のいずれかの段階で前記シリコン単結晶基板の金属不純物濃度評価を行うか、または前記エピタキシャル層形成後に一部抜き取りにより前記エピタキシャル層を形成したシリコン単結晶基板の金属不純物濃度の評価を行うことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/66 ,  C23C 14/48 ,  C23C 14/58 ,  C23C 16/24
FI (5件)：
H01L21/205 ,  H01L21/66 N ,  C23C14/48 A ,  C23C14/58 A ,  C23C16/24
Fターム (35件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029GA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030LA15 ,  4M106AA10 ,  4M106BA09 ,  4M106CB01 ,  4M106CB11 ,  4M106DH16 ,  4M106DH35 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC15 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB14 ,  5F045CA13 ,  5F045GB12 ,  5F045HA05 ,  5F045HA06
引用特許：
審査官引用 (3件)

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