特許
J-GLOBAL ID:201703007485002106

ワード線駆動電圧生成回路、記憶装置、集積回路装置、及び、電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 渡辺 和昭 ,  西田 圭介 ,  仲井 智至
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-035327
公開番号(公開出願番号):特開2017-152069
出願日: 2016年02月26日
公開日(公表日): 2017年08月31日
要約:
【課題】ワード線駆動電圧生成回路において、電源電圧が高い場合における過昇圧を防止しながら、電源電圧が低い場合における昇圧の遅延を抑制する。【解決手段】この回路は、第1のノードと第2のノードとの間に供給される電源電圧に基づいて、ワード線ドライバーに第3のノードを介して供給される昇圧電圧を生成するために、第1のノードに接続されたソース、及び、第3のノードに接続されたドレインを有する第1のPチャネルトランジスターと、第3のノードに接続された一端を有するキャパシターと、第1のノードに接続された定電流源と、第1のPチャネルトランジスターが非導通状態のときに、定電流源からキャパシターの他端に電荷を供給する第2のPチャネルトランジスターと、第1のPチャネルトランジスターが導通状態のときに、キャパシターの他端を第2のノードに接続するNチャネルトランジスターとを備える。【選択図】図2
請求項(抜粋):
第1のノードと第2のノードとの間に供給される電源電圧に基づいて、複数のメモリーセルに接続されたワード線を駆動するワード線ドライバーに第3のノードを介して供給される昇圧電圧を生成するワード線駆動電圧生成回路であって、 前記第1のノードに接続されたソース、及び、前記第3のノードに接続されたドレインを有する第1のPチャネルトランジスターと、 前記第3のノードに接続された一端を有するキャパシターと、 前記第1のノードに接続された定電流源と、 前記第1のPチャネルトランジスターが非導通状態のときに、前記定電流源から前記キャパシターの他端に電荷を供給する第2のPチャネルトランジスターと、 前記第1のPチャネルトランジスターが導通状態のときに、前記キャパシターの前記他端を前記第2のノードに接続するNチャネルトランジスターと、 を備えるワード線駆動電圧生成回路。
IPC (1件):
G11C 16/06
FI (2件):
G11C17/00 632A ,  G11C17/00 633B
Fターム (8件):
5B225BA01 ,  5B225CA09 ,  5B225DA09 ,  5B225EA01 ,  5B225EG02 ,  5B225EG08 ,  5B225EH02 ,  5B225FA02
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る