特許
J-GLOBAL ID:201703007713617787
フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
特許業務法人 津国
, 津国 肇
, 柳橋 泰雄
, 生川 芳徳
, 石岡 隆
, 柴田 明夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-105532
公開番号(公開出願番号):特開2013-235037
特許番号:特許第6139826号
出願日: 2012年05月02日
公開日(公表日): 2013年11月21日
請求項(抜粋):
【請求項1】 透明基板上に形成した半透光膜と遮光膜がパターニングされることにより形成された、透光部と半透光部と遮光部を含む転写用パターンをもつ、フラットパネルディスプレイ製造用のフォトマスクであって、
前記透光部は、5μm以下の幅で透明基板が露出してなり、
前記半透光部は、前記透明基板上に半透光膜が形成されてなり、かつ、前記透光部のエッジに沿って前記透光部を囲み、露光装置の解像限界以下の一定幅に形成されるとともに、対向する位置に形成された前記半透光部は、互いに対称に、同一幅に形成され、
前記遮光部は、露光光に対する光学濃度ODが3以上であって、前記透明基板上に前記半透光膜と前記遮光膜が積層されてなり、前記半透光部を囲んで形成され、
前記半透光膜は、露光光の代表波長に対する透過率が30〜50%、位相シフト量が90°以下であることを特徴とする、フォトマスク。
IPC (2件):
G03F 1/32 ( 201 2.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
FI (2件):
G03F 1/32
, G03F 7/20 501
引用特許: