特許
J-GLOBAL ID:200903025960336575

フォトマスクおよびその製造方法、並びにそれを用いた露光方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 原 謙三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-357951
公開番号(公開出願番号):特開2000-181048
出願日: 1998年12月16日
公開日(公表日): 2000年06月30日
要約:
【要約】【課題】 透過部に対する半透過部の透過率および位相差を考慮することによって、レジストに正確なレジスト段差を形成するフォトマスクを提供する。【解決手段】 フォトマスク1における半透過部12は、該半透過部12を透過する露光光と透過部11を透過する露光光との間に発生する干渉を抑制するように、透過部11に対する位相差が設定されている。このフォトマスク1を用いて露光を行うことによって、レジストホール51およびレジスト段差52が所定範囲(ハーフ領域22)内に確実に形成されたレジスト5を得ることができる。
請求項(抜粋):
所定パターンを露光するために用いられ、露光光を透過する透過部と、露光光を実質的に遮断する遮光部と、透過率が上記透過部の透過率よりも低くなるように設定された半透過部とを備えているフォトマスクにおいて、上記半透過部は、該半透過部を透過する露光光と透過部を透過する露光光との間に発生する干渉を抑制するように、透過部に対する位相差を設定していることを特徴とするフォトマスク。
IPC (2件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件):
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (9件):
2H095BA06 ,  2H095BB03 ,  2H095BB10 ,  2H095BB14 ,  2H095BB18 ,  2H095BB28 ,  2H095BC02 ,  2H095BC04 ,  2H095BC24
引用特許:
審査官引用 (3件)

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