特許

J-GLOBAL ID：201703007840565966

トランスデューサ装置及びその製造方法

発明者： 荒木 新一 ,  臼井 孝英 ,  藤井 宏和 ,  近藤 亮 ,  根本 竜平
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
代理人 (1件)： 緒方 保人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-239005
公開番号（公開出願番号）：特開2017-108226
出願日： 2015年12月08日
公開日（公表日）： 2017年06月15日
要約：

【課題】小型化、製造の容易化、低コスト化を図ることが可能となり、温度使用範囲も広くすることができるようにする。【解決手段】シリコン第1基板(第1ウェーハ)16にアコースティックポート18を形成し、シリコン第2基板(第2ウェーハ)17にバックチャンバー19を形成すると共に、例えば第1基板16には、可動電極21と固定電極22を有する変換部23、信号処理回路24を搭載し、第1基板16と第2基板17を重ねて接合する。即ち、第1基板16の周辺部に内側接合材33aと外側接合材33bを配置し、第1基板16の周辺部と第2基板17のバックチャンバー19の縁である基端部を向い合せ、接合材33a,33bにより接合する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

外部と内部を繋ぐための開口を形成した第1基板と、キャビティを形成した第2基板とを備え、 上記開口と上記キャビティとの間に固定電極及び可動電極を有する変換部を配置して、上記第1基板と上記第2基板とを接合してなるトランスデューサ装置。

IPC (2件)：

H04R 19/04 ,  H04R 31/00

FI (2件)：

H04R19/04 ,  H04R31/00 C

Fターム (3件)：

5D021CC15 ,  5D021CC19 ,  5D021CC20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• マイクロフォン
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-052718   出願人：オムロン株式会社
• マイクロフォン
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-034562   出願人：オムロン株式会社