特許

J-GLOBAL ID：201703007907807633

ウエハの永久接合方法

発明者： トマス・プラハ ,  クルト・ヒンゲル ,  マルクス・ウィンプリンガー ,  クリストフ・フルートゲン
出願人/特許権者： エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー
代理人 (4件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  前川 純一 ,  二宮 浩康 ,  上島 類
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-118866
公開番号（公開出願番号）：特開2016-178340
出願日： 2016年06月15日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
要約：

【課題】できる限り高い接合力を有する永久接合を慎重に提供する方法を考え出すこと。【解決手段】前記第1の接触面(3)上の表面層(6)中に貯留部(5)を形成するステップと、前記貯留部(5)に第1の原料、または第1の原料群を少なくとも部分的に充填するステップと、仮接合連結を形成するために、前記第1の接触面(3)を前記第2の接触面(4)と接触させるステップと、前記第1の接触面(3)と前記第2の接触面(4)との間の永久接合を形成するステップであって、前記第1の原料と前記第2の基板(2)の反応層(7)中に含まれた第2の原料とを反応させることによって少なくとも部分的に強化された永久接合を形成するステップと、を含む、第1の基板(1)の第1の接触面(3)を、第2の基板(2)の第2の接触面(4)に接合する方法。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

第1の基板(1)の第1の接触面(3)を、第2の基板(2)の第2の接触面(4)に接合する方法であって、 前記第1の接触面(3)上の表面層(6)中に貯留部(5)を形成するステップと、 前記貯留部(5)に、第1の原料または第1の原料群を少なくとも部分的に充填するステップと、 仮接合連結を形成するために、前記第1の接触面(3)を前記第2の接触面(4)と接触させるステップと、 前記第1の接触面(3)と前記第2の接触面(4)との間の永久接合を形成するステップであって、前記第1の原料と前記第2の基板(2)の反応層(7)中に含まれた第2の原料とを反応させることによって少なくとも部分的に強化された永久接合を形成するステップと、 を特に上記の順序で含む、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  B23K 20/00

FI (3件)：

H01L21/02 B ,  B23K20/00 310L ,  B23K20/00 310M

Fターム (7件)：

4E167AA18 ,  4E167AB08 ,  4E167AD04 ,  4E167BA05 ,  4E167CA05 ,  4E167CA11 ,  4E167DA05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体材料から選択された材料で作られた2つのウェハを貼り合わせる方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-503535   出願人：エス.オー.アイ.テックシリコンオンインシュレーターテクノロジーズ
• ウェハを恒久的にボンディングするための方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2014-503003   出願人：エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー