特許

J-GLOBAL ID：201703008241960934

半導体装置

発明者： 郷戸 宏充 ,  小林 聡 ,  津吹 将志
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-179126
公開番号（公開出願番号）：特開2016-208060
出願日： 2016年09月14日
公開日（公表日）： 2016年12月08日
要約：

【課題】大電力の制御を行う、高耐圧の半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の、ゲート電極と重畳する酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接し、端部をゲート電極と重畳するソース電極及びドレイン電極と、を有し、ゲート電極と酸化物半導体層が重畳する領域において、ゲート絶縁層は、ドレイン電極と端部を重畳する第1の領域と、前記第1の領域と隣接する第2の領域と、を有し、第1の領域の静電容量は第2の領域の静電容量より小さいトランジスタを提供すること。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層の下方に設けられ、ゲート電極としての機能を有する第1の導電層と、 前記酸化物半導体層の上方に設けられ、ソース電極又はドレイン電極の一方としての機能を有する第2の導電層と、 前記酸化物半導体層の上方に設けられ、ソース電極又はドレイン電極の他方としての機能を有する第3の導電層と、 前記酸化物半導体層及び前記第1の導電層の間に設けられた第1の絶縁層と、 前記酸化物半導体層及び前記第1の導電層の間に設けられた第2の絶縁層と、を有し、 前記酸化物半導体層は、第1の領域と、第2の領域と、第3の領域と、第4の領域と、第5の領域と、を有し、 前記第1の領域は、前記第2の領域及び前記第3の領域の間に設けられ、 前記第4の領域は、前記第1の領域及び前記第2の領域の間に設けられ、 前記第5の領域は、前記第1の領域及び前記第3の領域の間に設けられ、 前記第1の領域は、前記第1の絶縁層を介して前記第1の導電層と重なり、且つ、前記第2の絶縁層と重ならず、且つ、前記第2の導電層及び前記第3の導電層と重ならず、 前記第2の領域は、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層を介して前記第1の導電層と重なり、且つ、前記第2の導電層と接し、 前記第3の領域は、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層を介して前記第1の導電層と重なり、且つ、前記第3の導電層と接し、 前記第4の領域は、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層を介して前記第1の導電層と重なり、且つ、前記第2の導電層及び前記第3の導電層と重ならず、 前記第5の領域は、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層を介して前記第1の導電層と重なり、且つ、前記第2の導電層及び前記第3の導電層と重ならないことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/78 617S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617U

Fターム (80件)：

5F110AA06 ,  5F110AA13 ,  5F110AA14 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF13 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK42 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12 ,  5F110HM13 ,  5F110HM14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN32 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-107252   出願人：株式会社日立ディスプレイズ
• 表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-164028   出願人：株式会社日立ディスプレイズ
• 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-102492   出願人：出光興産株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-009971   出願人：三星電子株式会社
• アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-221552   出願人：キヤノン株式会社