特許
J-GLOBAL ID：201003012407228396

表示装置

発明者：
豊田 善章

豊田 善章 について

, 
松村 三江子

松村 三江子 について

, 
若木 政利

若木 政利 について


出願人/特許権者：
株式会社 日立ディスプレイズ

株式会社 日立ディスプレイズ について


代理人 (1件)： 小林 保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-107252
公開番号（公開出願番号）：特開2010-206154
出願日： 2009年04月27日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】オフ電流の低減とともにオフリーク電流の低減が図れ、製造工数の増大をもたらすことなく回路の集積化が図れる薄膜トランジスタを備えた表示装置の提供。【解決手段】表示部が形成された基板上に複数の薄膜トランジスタが形成されている表示装置であって、 前記薄膜トランジスタは、 ゲート電極と、 前記ゲート電極を跨って形成されたゲート絶縁膜と、 このゲート絶縁膜の上面に形成され、平面的に観て前記ゲート電極の形成領域内に開口が形成された層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜の表面に前記開口を間にして配置された一対の高濃度半導体膜と、 前記層間絶縁膜の前記開口を跨いで形成され、平面的に観て、前記ゲート電極の形成領域内に形成されるとともに前記一対の高濃度半導体膜に電気的に接続された多結晶半導体層と、 前記一対の高濃度半導体膜のそれぞれに重ねられ前記多結晶半導体膜に重ねられることなく形成された一対の電極と、 を備えたものを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表示部が形成された基板上に複数の薄膜トランジスタが形成されている表示装置であって、 前記薄膜トランジスタは、 ゲート電極と、 前記ゲート電極を被って形成されたゲート絶縁膜と、 このゲート絶縁膜の上面に形成され、平面的に観て前記ゲート電極の形成領域内に開口が形成された層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜の上面に前記開口を間にして配置された一対の高濃度半導体膜と、 前記層間絶縁膜の前記開口を跨いで形成され、平面的に観て、前記ゲート電極の形成領域内に形成されるとともに前記一対の高濃度半導体膜に電気的に接続された多結晶半導体層と、 前記一対の高濃度半導体膜のそれぞれに重ねられ前記多結晶半導体膜に重ねられることなく形成された一対の電極と、 を備えたものを含むことを特徴とする表示装置。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/28
FI (12件)：
H01L29/78 616S ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617S ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/90 A ,  H01L21/28 301R
Fターム (107件)：
4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104DD55 ,  4M104DD65 ,  4M104EE17 ,  4M104FF09 ,  4M104FF11 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033GG03 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK23 ,  5F033KK33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ59 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX33 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE38 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ16 ,  5F110HK03 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK34 ,  5F110HL07 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110HM14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN16 ,  5F110NN23 ,  5F110NN44 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (12件)
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