特許
J-GLOBAL ID:201703008274758944

電子デバイスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人 楓国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-528061
特許番号:特許第6112113号
出願日: 2013年07月12日
請求項(抜粋):
【請求項1】 被接合材を積層し、積層方向からホーンの突出部と支持部とで挟み、前記ホーンを振動させつつ前記ホーンの前記突出部及び前記支持部により前記積層された被接合材を超音波接合することにより、電子デバイスの構成部材を製造する電子デバイスの製造方法において、 前記電子デバイスの構成部材に、前記積層された被接合材の種別が各々異なる第1の構造及び第2の構造がある場合、超音波接合時に前記ホーンの前記突出部及び前記支持部が前記被接合材にそれぞれ食い込むことにより生じる前記被接合材への押し込まれ量を所定値にする接合条件を、前記電子デバイスの構成部材の構造毎に記憶した記憶手段から、製造すべき前記電子デバイスの構成部材の前記第1の構造に対応する第1の接合条件及び前記第2の構造に対応する第2の接合条件を取得し、 前記第1の構造の接合と、前記第2の構造の接合に、同一の前記ホーンを用い、 取得した前記第1の接合条件及び、前記第2の接合条件に基づいて、前記同一のホーンの前記突出部及び前記支持部を用いて、前記第1の構造及び前記第2の構造のそれぞれに対応する前記積層された被接合材を超音波接合する、 電子デバイスの製造方法。
IPC (4件):
H01G 11/84 ( 201 3.01) ,  H01M 2/30 ( 200 6.01) ,  B23K 20/10 ( 200 6.01) ,  H01G 11/74 ( 201 3.01)
FI (4件):
H01G 11/84 ,  H01M 2/30 D ,  B23K 20/10 ,  H01G 11/74
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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