特許
J-GLOBAL ID：201703008333135271

プラズマ処理装置

発明者：
出村 健介

出村 健介 について


出願人/特許権者：
芝浦メカトロニクス株式会社

芝浦メカトロニクス株式会社 について


代理人 (4件)： 日向寺 雅彦 ,  小崎 純一 ,  市川 浩 ,  白井 達哲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-287550
公開番号（公開出願番号）：特開2014-130907
特許番号：特許第6067372号
出願日： 2012年12月28日
公開日（公表日）： 2014年07月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】被処理物の処理面を下方に向けて前記処理面にプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置であって、 大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、 前記処理容器の内部を減圧する排気部と、 前記処理容器の内部にプロセスガスを導入するプロセスガス導入部と、 前記処理容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、 前記処理容器の内部に設けられた台座、この台座を上下方向に貫通し、前記被処理物の前記処理面を下方に向けた状態で、前記被処理物を前記台座の上面より上方にて、かつ前記被処理物の前記処理面と前記台座の前記上面との距離を可変に支持する支持部、を有する載置部と、 前記台座の外周に設けられる整流板と、 を備え、 前記プラズマ発生部は、前記支持部に支持される前記被処理物の上方に前記プラズマを発生させるプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/302 104 H ,  H01L 21/302 101 D ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/30 572 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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