特許

J-GLOBAL ID：201703008633063779

剥離グラフェン膜の製造方法

発明者： 唐 捷 ,  藤田 淳一 ,  村上 勝久
出願人/特許権者： 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ,  国立大学法人 筑波大学
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-047318
公開番号（公開出願番号）：特開2014-001126
特許番号：特許第6097908号
出願日： 2013年03月08日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 電解質としてアルカリ金属またはアルカリ土類金属の塩を含有する電解液に浸漬されたグラファイト電極に電圧を印加し、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の塩を電気分解することにより、グラファイト電極からグラフェン膜を剥離することを特徴とする剥離グラフェン膜の製造方法。

IPC (5件)：

C01B 32/15 ( 201 7.01) ,  C01B 32/18 ( 201 7.01) ,  C01B 32/182 ( 201 7.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01) ,  B82Y 30/00 ( 201 1.01)

FI (3件)：

C01B 31/02 101 Z ,  B82Y 40/00 ,  B82Y 30/00

引用特許：

出願人引用 (3件)

• グラファイト剥離によってグラフェンを形成する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2013-516549   出願人：ナショナルユニヴァーシティーオブシンガポール
• グラフェンの製造
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2014-560444   出願人：ザ・ユニバーシティ・オブ・マンチェスター
• 電気化学的荷電を用いる膨張した六方晶層鉱物及び誘導体を形成する方法。
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2014-547147   出願人：ナショナルユニヴァーシティーオブシンガポール

引用文献：

出願人引用 (1件)

• High-yield synthesis of few-layer graphene flakes through electrochemical expansion of graphite in p