特許
J-GLOBAL ID：201703008925299161

光電変換装置

発明者：
太田 優一

太田 優一 について


出願人/特許権者：
地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター

地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター について


代理人 (1件)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-120886
公開番号（公開出願番号）：特開2017-005223
出願日： 2015年06月16日
公開日（公表日）： 2017年01月05日
要約：
【課題】BNの物性を明らかにし、光電変換装置として利用する。【解決手段】4eV以上バンドギャップを有する半導体を有する光電変換装置であって、上記半導体は、3d遷移金属を含有し、価電子帯と伝導帯との間に少なくとも1つ以上の中間準位が形成されている。上記半導体は、ByX1-yN(0≦y≦1)で表され、3d遷移金属は、上記半導体のBの一部と置換されている。また、上記3d遷移金属は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、NiおよびCuからなる群から選択された少なくとも1種である。例えば、立方晶系の結晶構造のBN(c-BN)のBサイトに、Niを導入した半導体が有用であり、価電子帯と伝導帯との間に中間準位が形成されている。【選択図】図19
請求項（抜粋）：
4eV以上バンドギャップを有する半導体を有する光電変換装置であって、 前記半導体は、3d遷移金属を含有し、価電子帯と伝導帯との間に少なくとも1つ以上の中間準位が形成されている、光電変換装置。
IPC (2件)：
H01L 31/075 ,  C01B 21/064
FI (2件)：
H01L31/06 500 ,  C01B21/064 J
Fターム (5件)：
5F151AA08 ,  5F151CB15 ,  5F151CB18 ,  5F151DA04 ,  5F151GA04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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