特許
J-GLOBAL ID：201703009133418194

半導体装置

発明者：
岩上 信一

岩上 信一 について

, 
伊藤 裕規

伊藤 裕規 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  高橋 俊一 ,  伊藤 正和 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-025926
公開番号（公開出願番号）：特開2017-147265
出願日： 2016年02月15日
公開日（公表日）： 2017年08月24日
要約：
【課題】櫛型形状のソース電極とドレイン電極が交差指状に配置された電極構造を有し、櫛型電極の先端部での電界集中が緩和された半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極30が、ソース電極10の櫛歯電極11とドレイン電極20の櫛歯電極21のうちで最外部の櫛歯電極と最外部の櫛歯電極に隣接する櫛歯電極との間を第1の方向に延伸する直線部分301と、最外部の櫛歯電極の先端部分に沿って湾曲する第1の湾曲部分を介して直線部分301と連結し、第1の方向と交差する第2の方向に延伸する第1の引き出し部分302と、第2の湾曲部分を介して第1の引き出し部分302と連結する第2の引き出し部分303とを備え、直線部分301と最外部の櫛歯電極との間の距離a1よりも、第2の引き出し部分303と最外部の櫛歯電極との間の距離a2が長い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
櫛歯電極を有する櫛型形状の第1の主電極、前記第1の主電極の前記櫛歯電極と交差指状に配置された櫛歯電極を有する櫛型形状の第2の主電極、及び前記第1の主電極の前記櫛歯電極と前記第2の主電極の前記櫛歯電極との間に配置されたゲート電極を備え、 前記ゲート電極が、 前記第1の主電極の前記櫛歯電極と前記第2の主電極の前記櫛歯電極のうちで最外部の櫛歯電極と前記最外部の櫛歯電極に隣接する前記櫛歯電極との間を第1の方向に延伸する直線部分と、 前記最外部の櫛歯電極の先端部分に沿って湾曲する第1の湾曲部分を介して前記直線部分と連結し、前記第1の方向と交差する第2の方向に延伸する第1の引き出し部分と、 第2の湾曲部分を介して前記第1の引き出し部分と連結する第2の引き出し部分と を備え、 前記直線部分と前記最外部の櫛歯電極との間の距離よりも、前記第2の引き出し部分と前記最外部の櫛歯電極との間の距離が長いことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/417
FI (4件)：
H01L29/80 L ,  H01L29/80 H ,  H01L29/44 P ,  H01L29/50 J
Fターム (25件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104CC01 ,  4M104FF11 ,  4M104GG08 ,  4M104GG12 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ09 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GS09 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • マルチゲート半導体デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-133705   出願人：シャープ株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-035659   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社

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