特許
J-GLOBAL ID：201703009353911177
Ga2O3系単結晶体のドナー濃度制御方法、及びオーミックコンタクト形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (4件)：
平田 忠雄
, 岩永 勇二
, 遠藤 和光
, 伊藤 浩行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-171537
公開番号（公開出願番号）：特開2015-026796
特許番号：特許第6142357号
出願日： 2013年08月21日
公開日（公表日）： 2015年02月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 イオン注入法により、Ga2O3系単結晶体にドナー不純物としてSiを1×1019cm-3以上かつ1×1020cm-3以下の注入濃度で導入し、前記Ga2O3系単結晶体中に、前記Siを注入していない領域よりもドナー不純物濃度の高いドナー不純物注入領域を形成する工程と、
不活性雰囲気下で800°C以上かつ1150°C以下の条件で実施されるアニール処理により、前記ドナー不純物注入領域中の前記Siを活性化させ、高ドナー濃度領域を形成する工程と、
を含むGa2O3系単結晶体のドナー濃度制御方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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