特許
J-GLOBAL ID：200903064214084809

Ga2O3系単結晶の導電率制御方法

発明者：
一ノ瀬 昇

一ノ瀬 昇 について

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島村 清史

島村 清史 について

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青木 和夫

青木 和夫 について

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ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア

ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア について


出願人/特許権者：
学校法人早稲田大学

学校法人早稲田大学 について


代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-042170
公開番号（公開出願番号）：特開2005-235961
出願日： 2004年02月18日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】 β-Ga2O3系単結晶の導電性制御を効率よく行うことができるGa2O3系単結晶の導電率制御方法を提供する。 【解決手段】 この発光素子は、n型β-Ga2O3基板と、このn型β-Ga2O3基板の上に、n型β-AlGaO3クラッド層、活性層、p型β-AlGaO3クラッド層およびp型β-Ga2O3コンタクト層とを備える。Si濃度を1×10-5〜1mol%に変化させることにより、抵抗率が2.0×10-3〜8×102Ωcm、キャリア濃度が5.5×1015〜2.0×1019/cm3の範囲に制御するものである。 【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
Ga2O3系単結晶に所定のドーパントを添加することにより所望の抵抗率を得ることを特徴とするGa2O3系単結晶の導電率制御方法。
IPC (3件)：
H01L33/00 ,  C23C14/08 ,  C30B29/16
FI (3件)：
H01L33/00 A ,  C23C14/08 J ,  C30B29/16
Fターム (31件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BB10 ,  4G077CE03 ,  4G077DA03 ,  4G077EB01 ,  4G077EF01 ,  4G077HA02 ,  4G077SA04 ,  4G077SB09 ,  4K029AA04 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  5F041AA31 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第2778405号公報(図1)
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (5件)
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