特許
J-GLOBAL ID：201703009616949930
エピタキシャルシリコンウェーハの汚染評価方法およびエピタキシャル成長装置炉内の汚染評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
杉村 憲司
, 川原 敬祐
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-249659
公開番号（公開出願番号）：特開2014-099478
特許番号：特許第6070095号
出願日： 2012年11月13日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコンウェーハの表層部をゲッタリング層とする工程と、
該ゲッタリング層上にエピタキシャル層を成長させて、エピタキシャルシリコンウェーハを作製する工程と、
該エピタキシャルシリコンウェーハに対して熱処理を施す工程と、
前記熱処理後に、前記エピタキシャル層中の不純物金属の濃度をDLTS法により測定する工程と、
を有し、
前記熱処理は、雰囲気温度が600〜1000°Cであり、該雰囲気温度での保持時間が30〜1800秒の条件で行われることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの汚染評価方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/322 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
H01L 21/66 L
, H01L 21/205
, H01L 21/322 J
, H01L 21/20
