GaN結晶

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：川口嘉之 , 高田大輔 , 佐貫伸一 , 丹羽武司 , 下田俊明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-204109
公開番号（公開出願番号）：特開2017-052691
特許番号：特許第6217825号
出願日： 2016年10月18日
公開日（公表日）： 2017年03月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 <10-10>方向に成長したGaN結晶であって、結晶内のSi濃度がO濃度よりも高く、結晶内のNa濃度が1×1017cm-3以下で、かつ、c軸と平行方向にX線を入射した場合およびc軸と垂直方向にX線を入射した場合の、X線回折の(100)回折ピークのロッキングカーブの半値幅が50arcsec以下であることを特徴とするGaN結晶。

IPC (1件)：